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BSZ086P03NS3 G /MOSFET P-Ch -30V 13.5A TSDSON-8 OptiMOS P3
BSZ086P03NS3 G的规格信息
BSZ086P03NS3 G的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TSDSON-8

通道数量:1 Channel

晶体管极性:P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:30 V

Id-连续漏极电流:40 A

Rds On-漏源导通电阻:6.5 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:3.1 V

Vgs - 栅极-源极电压:25 V

Qg-栅极电荷:57.5 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:69 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:OptiMOS

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:1.1 mm

长度:3.3 mm

系列:OptiMOS P3

晶体管类型:1 P-Channel

宽度:3.3 mm

商标:Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值:30 S

下降时间:8 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:46 ns

工厂包装数量:5000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:35 ns

典型接通延迟时间:16 ns

零件号别名:BSZ086P03NS3GATMA1 BSZ86P3NS3GXT SP000473024

单位重量:100 mg

供应商BSZ086P03NS3 G
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深圳市威雅利发展有限公司BSZ086P03NS3 G 其他被动元件华强北路1019号华强广场A16楼18124047120
18124047120
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深圳市坤融电子有限公司BSZ086P03NS3 G航都大厦10I0755-23990975
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集好芯城BSZ086P03NS3 G深圳市福田区航都大厦25F4008626627
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深圳市河锋鑫科技有限公司BSZ086P03NS3 G华强北都会轩26010755-23903154
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深圳市斌腾达科技有限公司BSZ086P03NS3 G深圳市福田区华强北上步工业区501栋5180755-82815082
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深圳市大源实业科技有限公司BSZ086P03NS3 G深圳市龙岗区坂田街道山海商业广场C座7070755-84862070
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”13725596657“17503034873
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Digi-Key 得捷电子
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Mouser 贸泽电子
BSZ086P03NS3 GInfineon TechnologiesMOSFET P-Ch -30V 13.5A TSDSON-8 OptiMOS P31:¥6.0681
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Rochester
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BSZ086P03NS3 GInfineon(英飞凌)预售晶体管1+:¥3.63
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